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分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí)，eof中斷就產(chǎn)生了，eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用，該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
更新時(shí)間:2025-12-04
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0，表示系統(tǒng)是小端，不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容，p0是個(gè)data,依次，p3是個(gè)data.
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660，輸出設(shè)定為yuv模式，因此，csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù)，因此還需要通過(guò)軟件，將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問(wèn)題像素可以放映到你的抓圖上面的大小，該像素就是說(shuō)明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少，可以想象在相同的面積上，數(shù)量越多，感光元件肯定要越小，感光元件小，那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差，這個(gè)當(dāng)然可以理解，但是從大的方面來(lái)說(shuō)，只要鏡頭好，光源充足，那么效果也會(huì)變好，這樣畫(huà)面就比像素低的更加的細(xì)膩，所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm，nokia，st，it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟，旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口，顯示接口，射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中，這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道，包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-12-04
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-12-04
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面，再回顧下數(shù)據(jù)格式，加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式：escape mode, high-speed (burst) mode and control mode，下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序：
更新時(shí)間:2025-12-04
加工定制：是類型：指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌：yaos堯順型號(hào)：dx200ghd測(cè)量范圍：10-5--105ω（mω）電 源：220±10%測(cè)試電壓：2 mv、20 mv、200 mv、2v（v）精度：0.1%重量：8.5（kg）尺 寸：345mm*480mm*145mm規(guī)格：φ30x180
更新時(shí)間:2025-12-04
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀： 主要技術(shù)指標(biāo)：*測(cè)量范圍：碳（c）0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫（s）0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間：25~60s可調(diào)，一般35s*分析誤差：碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率：小于2.5kva； *工作原理：電弧燃燒，紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-12-04
原裝進(jìn)口產(chǎn)品，觸摸屏操作簡(jiǎn)單。由普通電池供電，方便操作現(xiàn)場(chǎng)更換，功能強(qiáng)大，可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流，無(wú)跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
更新時(shí)間:2025-12-04
希而科原裝進(jìn)口豪斯派克honsberg-hd2k流量開(kāi)關(guān)honsberg的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到工業(yè)和過(guò)程控制的污水處理、采礦。涉及的域有：造紙、印刷、空調(diào)、制藥、化工、機(jī)械制造、壓縮機(jī)、醫(yī)學(xué)裝置、通風(fēng)設(shè)備、離心設(shè)備、爐設(shè)備、核電廠、排氣
更新時(shí)間:2025-12-03
fluke 6200-2 pat測(cè)試儀是輕便、小巧的一鍵式解決方案，6200-2的設(shè)計(jì)宗旨是在不影響您和客戶安全的前提下更快地工作。一鍵式解決方案...只需按下一個(gè)按鈕，即可啟動(dòng)預(yù)設(shè)測(cè)試程序。簡(jiǎn)化測(cè)試實(shí)現(xiàn)更快更高效的工作方式。6200-2重約為3 kg，重量輕、易攜帶。堅(jiān)固耐用的便攜箱(標(biāo)配)可以提供運(yùn)輸保護(hù)還提供額外存儲(chǔ)空間。體積小...該便攜式電器測(cè)試儀結(jié)構(gòu)非常緊湊，并且具有福祿克一貫的耐用性
更新時(shí)間:2025-12-03
揚(yáng)州捷通供水技術(shù)設(shè)備有限公司生產(chǎn)的jt-tld電子式聽(tīng)漏棒實(shí)質(zhì)上是個(gè)精簡(jiǎn)化的電子放大式聽(tīng)漏儀。它的方便、可靠性建立在先進(jìn)的集成性上。
更新時(shí)間:2025-12-03
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常，memory mapping空間讀寫(xiě)異常
更新時(shí)間:2025-12-03
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-12-03
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-12-03
商品名稱：juki feeder校正儀商品品牌：鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地：深圳商品尺寸（mm）：l500*w350*h500商品重量：約35kg適用機(jī)型：juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-12-03
城市道路積水監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是山東天合環(huán)境科技有限公司研發(fā)生產(chǎn)，可以及時(shí)避免人員、車(chē)輛誤入深水路段造成重大人身傷害與經(jīng)濟(jì)損失。
更新時(shí)間:2025-12-03
misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-12-03
misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-12-03
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問(wèn)題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-12-03
nfps-5000是阿儀網(wǎng)專為nand flash測(cè)試開(kāi)發(fā)的精密測(cè)試平臺(tái)，集成四大測(cè)試模塊，提供從基礎(chǔ)測(cè)試到分析的全套解決方案。系統(tǒng)支持自動(dòng)化測(cè)試流程，大幅提升測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開(kāi)，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-12-03
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-12-03
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-12-03
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-12-03
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-12-03
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-12-03
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-12-03
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-12-03
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-12-03
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-12-03
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-12-03
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-12-03
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-12-03
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-12-03
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-12-03
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