外延系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家

Riber分子束外延系統(tǒng)
riber mbe 49 系列全自動生產(chǎn)機器為材料質(zhì)量、產(chǎn)量、產(chǎn)量以及與操作和維護相關(guān)的成本設(shè)定了行業(yè)標準。超過55個這樣的系統(tǒng)已經(jīng)在全球范圍內(nèi)交付，他們?yōu)榭蛻魩淼某晒κ乖撓盗蟹磻鳙@得了廣泛持有和當之無愧的聲譽，因為它使新的化合物半導體器件技術(shù)的商業(yè)化能夠在其他地方無與倫比的范圍和規(guī)模上實現(xiàn)商業(yè)化。mbe 49 系列有四個反應器，門設(shè)計用于沉積砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。
更新時間:2025-03-05
Riber分子束外延系統(tǒng)
riber分子束外延系統(tǒng)的 multi 4“ / 6” mbe 6000 是全球每個成功的大批量商家或內(nèi)部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復性的mbe基準。活動時間通常超過一年，這證明了反應堆的穩(wěn)定性和可靠性。沒有比riber的新客戶和長期客戶重復下訂單更有力的認可了。有許多晶圓廠配備了 2 – 8 個 mbe 6000,24 / 7 并排運行。初，系統(tǒng)主要用于制造大量微波器件材料。
更新時間:2025-03-05
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)mbe 8000旨在滿足對高性能化合物半導體器件日益增長的需求。這種在超高壓環(huán)境中使用超純金屬的 8×6ʺ 或 4×8ʺ 固源 mbe 系統(tǒng)在設(shè)計、溫度均勻性和通量均勻性方面超出了先進的基本預期。該系統(tǒng)能夠培養(yǎng) 8 個 150 毫米（6 英寸）晶圓或 4 個 200 毫米（8 英寸）晶圓的批次，這些晶圓具有顯著的均勻性（成分、厚度）和非常低的缺陷水平。
更新時間:2025-03-05
超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進樣室）、樣品傳遞機構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計算機控制等各部分組成。設(shè)備用
更新時間:2025-03-05
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
ses系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)適用于 5-150 微米范圍的硅外延工藝
更新時間:2025-03-05
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
esther/eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設(shè)計可兼容多種工藝用途友好的人機交互和安全性設(shè)計保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求
更新時間:2025-03-05
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
hesper ⅱ e630r plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控
更新時間:2025-03-05
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
hesper e230a 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能
更新時間:2025-03-05
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
hesper i e430r 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能
更新時間:2025-03-05
碳化硅外延系統(tǒng)
mars ice115 碳化硅外延系統(tǒng)薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高
更新時間:2025-03-05
多片碳化硅外延系統(tǒng)
mars ice120 多片碳化硅外延系統(tǒng)產(chǎn)能大，6 英寸運營成本低
更新時間:2025-03-05
MBE分子束外延
自新千年到來之推出以來，compact 21 已成為有史以來成功的商用 3 英寸 mbe 系統(tǒng)。憑借核心 compact 21 dna 在所有配置（iii-v、ii-vi、gp iv、氧化物、金屬、gsmbe）中都很明顯，該多功能系統(tǒng)在從基礎(chǔ)研究到設(shè)備開發(fā)和優(yōu)化的每個研究域都得到了卓越的服務。它多可容納 12 個源端口，并且與電子槍兼容。這款整潔而強大的反應器可提供手動或全自動
更新時間:2025-03-05
RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)
riber 的 mbe 412 正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應用項目的關(guān)鍵研究機構(gòu)的關(guān)注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英寸）容量在這種類型的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系中受到青
更新時間:2025-03-05
SiC分子外延系統(tǒng)MBE
epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付，包括反應器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個系統(tǒng)在發(fā)貨都經(jīng)過廣泛的測試，一旦安裝，交付還包括所有必要的客戶操作和維護培訓。
更新時間:2025-03-05
分子束外延MBE
veeco 的 gen20™ mbe 系統(tǒng)是一種超靈活的工具，其設(shè)計可針對 iii-v 族和新興材料進行配置，包括需要集成電子束技術(shù)的應用。該系統(tǒng)采用生產(chǎn)設(shè)計技術(shù)，允許可選的集群工具晶圓傳輸系統(tǒng)，以實現(xiàn)理想的實驗室到晶圓廠遷移。
更新時間:2025-03-05
分子束外延MBE
veeco 的 gen200® mbe 系統(tǒng)是當市場上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產(chǎn) mbe 系統(tǒng)。該系統(tǒng)在用于泵浦激光器、vcsel 和 hbt 等設(shè)備的生長中提供卓越的吞吐量、長時間的加工周期和出色的晶圓質(zhì)量。
更新時間:2025-03-05
分子束外延MBE
gen2000® mbe 系統(tǒng)提供卓越的吞吐量、更長的活動周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 hbt 和 phemt 等無線通信設(shè)備大批量生產(chǎn)以及需要以低擁有成本生產(chǎn) 6 英寸的新興應用的理想選擇。
更新時間:2025-03-05
MBE分子束外延系統(tǒng)
genxplor® r&d mbe系統(tǒng)獲得了化合物半導體制造的csindustry獎，采用veeco成熟的3英寸生長室設(shè)計，并具有無與倫比的工藝靈活性，非常適合uv led、高效太陽能電池和高溫超導體等新興技術(shù)的材料研究。其高效的單框架設(shè)計將所有真空硬件與機載電子設(shè)備相結(jié)合，使其比其他 mbe 系統(tǒng)小 40%，從而節(jié)省寶貴的實驗室空間。
更新時間:2025-03-05
分子束外延MBE
gen10™ mbe 系統(tǒng)是成熟平臺中經(jīng)濟、靈活的簇狀工具系統(tǒng)，允許多達三個可配置的、特定于材料的生長模塊。這使得系統(tǒng)利用率高，允許多個研究人員同時使用該系統(tǒng)，并在無人值守的情況下進行生長和校準。這與 veeco 組件技術(shù)相結(jié)合，是 mbe 社區(qū)選擇 gen10™ mbe 系統(tǒng)的關(guān)鍵因素，無論應用是什么。
更新時間:2025-03-05
分子束外延MBE
屢獲殊榮的新型 genxcel™ 系統(tǒng)是在 genxplor 的基礎(chǔ)上進行的擴展，genxplor™ 是自 2013 年 8 月推出以來暢銷的 mbe 系統(tǒng)，與 genxpl
更新時間:2025-03-05

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