用于反應(yīng)離子刻蝕(RIE)及等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PEVCD)的等離子處理系統(tǒng)。
BM8-II是一款定義反應(yīng)離子刻蝕(RIE)及等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PEVCD)等離子處理新概念的等離子處理系統(tǒng)。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計制造,采用一款通用的真空處理艙及機柜。等離子處理系統(tǒng)采用平板式電極、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)電極及等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PEVCD)電極模塊化設(shè)計理念,方便整體系統(tǒng)的組裝及配置。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)帶給用戶方便操作,提供多種等離子處理工藝、方便維護及性價比高的反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積等離子處理系統(tǒng),比業(yè)內(nèi)其它反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)更具競爭力。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-主要性能簡介
等離子工藝處理的研發(fā)需要多功能且可靠的等離子處理系統(tǒng)。為了滿足等離子研究日新月異的要求,用戶選購的系統(tǒng)設(shè)備滿足最大范圍的等離子工藝參數(shù)需要,工藝驗證需要極其高的可重復(fù)性,必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)系列干法工藝等離子系統(tǒng)滿足這些非?量痰囊。. BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)是一款用于研究,工藝開發(fā)及其小批量生產(chǎn)的等離子系統(tǒng)工具,用于最大八英寸基片的精確等離子刻蝕及沉積。BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)可以在多片或單片處理模式下操作。
在設(shè)計BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)之初,主導(dǎo)指示就是創(chuàng)造一款融合高質(zhì)量、可靠、重復(fù)性及其用于生產(chǎn)系統(tǒng)的工藝控制能力為一體的等離子系統(tǒng);同時極大的降低主機成本、維護成本及占地面積小等要求。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)具有獨特的機體結(jié)構(gòu)和電極設(shè)計,方便安裝在層流模塊中或是超凈間。BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的建造采用高質(zhì)量認可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設(shè)計、結(jié)構(gòu)緊湊、自動化及業(yè)內(nèi)認可工藝程序使得BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)成為工藝工程師首選干法等離子處理設(shè)備。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-主要性能介紹
· 一體式真空艙體構(gòu)造
· 原位電極間距設(shè)計(PEVCD版)
· 可更換工藝氣體噴頭
· 業(yè)內(nèi)認可的工藝程序
· 高質(zhì)量業(yè)內(nèi)認可的主要部件
· 終點探測監(jiān)測(Endpoint detection選配)
· 多種電極配置
· 自動射頻(RF)匹配器
· 下游壓力控制(Downstream pressure control選配)
· 電腦控制,基于Windows編程
· 多款真空泵浦選配:機械泵、機械泵/風(fēng)機,渦輪增壓泵浦
· 單真空艙及雙真空艙結(jié)構(gòu)
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-應(yīng)用
基于系統(tǒng)建造的高質(zhì)量處理模塊,BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)滿足廣泛的等離子處理工藝條件,無論是復(fù)雜的亞微米級反應(yīng)離子刻蝕 (RIE)還是高質(zhì)等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PEVCD)薄膜的沉積。以下是我們,BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的典型工藝處理應(yīng)用,基與眾多客戶群的緊密協(xié)作,我們開發(fā)出業(yè)內(nèi)認可的工藝程序,保證系統(tǒng)滿足用戶所需。用于生產(chǎn)制造的系統(tǒng)設(shè)備均采用最高質(zhì)量的部件,保證,BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)提供最大可能的正常運行時間、 可靠性、重復(fù)性及耐用性。
· 故障分析應(yīng)用(Failure analysis)
· 材料改性(Material modification)
· 粘合促進等離子descum
· 表面處理(Surface treatment)
· 各向異性各項同性及刻蝕(Anisotropic and isotropic etching)
· 金屬刻蝕(Metal etching)
· Si02(二氧化硅), Si3N4 (氧化硅)及 SiOxNy(氮氧化矽)薄膜沉積
· II-V 刻蝕應(yīng)用(III-V etching)
· 溝槽刻蝕(Trench etching)
· 鈍化層刻蝕(Passivation etching)
· 聚酰亞胺刻蝕(Polyimide etching )
· 亞納米級刻蝕(Submicron etching)
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)規(guī)格
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的廣泛使用得益于其高性價比,多功能設(shè)計模塊,提供其他同類反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)沒有的工藝優(yōu)勢。這些包括層流安裝占地面積小,多款電極配置,及其最大可滿足直徑8英寸(203毫米)基片處理等。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)基本模塊
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲、質(zhì)量流量控制的兩路通道控制(最大可擴展至六通道)、溫度補償式電容壓力計用于測量工藝真空度、100毫米真空通道用于最大工藝氣體電導(dǎo)、KF或ISO標準管件便于維護;及其它工藝及服務(wù)特性。工藝氣體導(dǎo)管未不銹鋼操作,配備VCE連接件。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-真空處理艙
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的真空處理艙采用整塊鋁合金建造成一體式設(shè)計。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PEVCD)及平板電極系統(tǒng)均采用同樣的真空處理艙設(shè)計。真空處理艙上部包括一個電極,并且具有原位電極可調(diào)間距;真空艙下部包括基片電極,真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監(jiān)控設(shè)備。自動升降臺抬舉真空艙上部便于接近底部電極。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-電極配置
反應(yīng)離子刻蝕(RIE)系列電極特別為達到低真空范圍的最佳等離子性能設(shè)計。上部的不銹鋼電極包括噴頭式工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)。不銹鋼材質(zhì)底部電極通過可選配冷卻循環(huán)槽來控制溫度。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)陽極采用暗區(qū)屏障設(shè)計,使等離子在兩塊電極之間產(chǎn)生。等離子體增強化學(xué)氣相沉積((PECVD )電極采用類似的設(shè)計,但是鋁制底部基片電極最大可耐400℃高溫,而上部電極(通電電極)是采用水冷卻。鋁制電極具有氣體感應(yīng)端口,便于沉積工藝后的快速冷卻。對于(等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD )應(yīng)用,上部電極的間距可以在25.40至89毫米之間調(diào)節(jié)。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-等離子電源
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的電源可匹配廣泛的功率及其等離子電源頻率。所有的電源采用固態(tài)、風(fēng)冷式。電源功率從300至1250瓦特均有,射頻頻率從40KHz(中頻)至2.45GHz(微波);系統(tǒng)標配為13.56MHz,600瓦特射頻電源?蛇x配自動或手動匹配器。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-工藝處理真空泵浦
根據(jù)用戶的工藝需要,BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)配備機械泵、機械泵及渦輪分子泵,或是帶魯氏鼓風(fēng)機的機械泵。也可根據(jù)所需真空處理級別配備不同尺寸大小的真空泵浦。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-控制器
控制器采用電腦控制整個系統(tǒng);Windows的控制軟件采用多屏幕顯示系統(tǒng)設(shè)備控制、數(shù)據(jù)記錄、稱呼設(shè)定及存儲,系統(tǒng)連鎖應(yīng)需配備。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)-選配
為了增強BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)的工藝處理能力,BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)提供廣泛的工藝處理選項,包括終點檢測、水冷器(用于冷卻電極)、油霧分離器及吹掃系統(tǒng)、下周壓力控制、硬質(zhì)陽極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統(tǒng)也可提供。應(yīng)離子刻蝕(RIE)/等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PEVCD)任意結(jié)合的雙真空處理艙可以配置。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PEVCD)組合配置具有明顯的多功能性,其優(yōu)勢在于避免不同沉積工藝的交叉污染。
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)尺寸
單真空處理艙 | Dual雙真空處理艙 | |
寬: | 91厘米 | 104厘米 |
深: | 81厘米 | 114厘米 |
機柜高度: | 91厘米 | 91厘米 |
整機高度: | 129厘米 | 129厘米 |
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)重量
70~120公斤. (取決于具體系統(tǒng)配置).
BM8-II反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)安裝條件
等離子系統(tǒng)主機: | |
220VAC/1/50Hz, 7A | |
真空泵浦系統(tǒng): | |
220VAC/1/50Hz, 5A | |
電極冷卻水源: | 20℃ ±2℃ |
真空閥驅(qū)動氣源: | 0.88MPa |
氮氣: | 0.1~0.14MPa (用于真空處理艙吹掃)) |
氣源: | 等離子處理工藝氣體, VCR 管件 |
如果您對GIK反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/沉積(PEVCD)等離子處理系統(tǒng)感興趣,請聯(lián)系我們索取更詳盡資料!極科有限公司(材料科學(xué)部)
安徽上華電纜有限公司座落于被譽為“電纜之鄉(xiāng)”的天長市,南接歷史文化名城南京,東連旅游勝地揚州,地處蘇皖交界,靠205國道淮揚路線,地理條件,在南京、揚州,淮陰三市之間,交通便捷。王懷 聯(lián)系電話:1 3721012939
本公司是具有一定規(guī)模的中型工業(yè)企業(yè),專門生產(chǎn)電線電纜,具有(控制電纜、電力電纜、硅橡膠電纜、高溫電纜、計算機電纜)的生產(chǎn)許可證和準產(chǎn)證,先后通過ISO9001質(zhì)量管理和國家強制3C認證。主要的產(chǎn)品有:熱電偶補償導(dǎo)線、屏蔽補償導(dǎo)線、高溫補償導(dǎo)線、阻燃控制電纜、屏蔽控制電纜、控制軟電纜、耐高溫電纜、耐油電纜、鍍銀屏蔽線、鍍錫屏蔽線、云母高溫線、純鎳耐溫線、變頻器專用電纜、船用電纜、汽車低壓電纜、計算機屏蔽電纜、本安電纜、DCS信號電纜、防爆電纜、防火電纜、硅橡膠電纜、橡套軟電纜、鎧裝電纜,品種齊全。并可根據(jù)用戶需要開發(fā)設(shè)計制造新品種,用于冶金、機械、化工、電力通訊設(shè)備及重大領(lǐng)域,通過使用倍受好評。 本公司有的歷史,雄厚的技術(shù)力量、齊全的檢測設(shè)備、豐富的制造經(jīng)驗,合理的價格,滿足有關(guān)工礦企業(yè),科研等而下之單位的需要。目前隨著機械電子工業(yè)的調(diào)整發(fā)展,產(chǎn)品不斷更新,技術(shù)上精益求精。 我們的宗旨:以的產(chǎn)品質(zhì)量投放市場,質(zhì)量上要求科技領(lǐng)先、顧客至上、不斷創(chuàng)新、質(zhì)量永恒。
用途: 熱電偶用(耐高溫)補償導(dǎo)線、補償電纜,是在一定溫度范圍內(nèi)(包括高溫、常溫)具有與匹配的熱電動勢的標稱值相同的一對帶有絕緣層的導(dǎo)線,用它們連接熱電偶與測量裝置,以補償它們與熱電偶連接處的溫度變化所產(chǎn)生的誤差。本產(chǎn)品適用于分度號為S、K、E、T、J、N型各種熱電偶與溫度顯示儀表之間的電氣連接,以提高測量精度。 2:使用條件: (1) 工作溫度:耐熱用:200℃和260℃兩種; 一般用:70℃和105℃兩種。 (2) 環(huán)境溫度:氟塑料絕緣和護套電纜:固定敷設(shè)-60℃,非固定敷設(shè)-20℃; 聚氯乙烯絕緣和護套電纜:固定敷設(shè)-40℃,非固定敷設(shè)-15℃。 (3) 最小彎曲半徑:聚氯乙烯絕緣和護套電纜非鎧裝電纜不小于電纜外徑的6倍,氟塑料絕緣和護套非鎧裝電纜不小于電纜外徑的10倍,鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。 3、產(chǎn)品品種、規(guī)格、結(jié)構(gòu)型式 (1) 產(chǎn)品品種及型號:見表1 表1
產(chǎn)品名稱 型 號 配用熱電偶 熱電偶分度號 銅-銅鎳補償型導(dǎo)線(電纜) SC 鉑銠10-鉑熱電偶鉑銠13-鉑熱電偶 S 鐵-銅鎳補償型導(dǎo)線(電纜)銅-銅鎳補償型導(dǎo)線(電纜) KCAKCB 鎳鉻-鎳硅熱電偶 K 鎳鉻-鎳硅延長型導(dǎo)線(電纜) KX 鎳鉻-鎳硅熱電偶 K 鐵-銅鎳補償型導(dǎo)線(電纜)鎳鉻硅-鎳硅延長型導(dǎo)線(電纜) NCNX 鎳鉻硅-鎳硅熱電偶 N 鎳鉻-銅鎳延長型導(dǎo)線(電纜) EX 鎳鉻-銅鎳熱電偶 E 鐵-銅鎳延長型導(dǎo)線(電纜) JX 鐵-銅鎳熱電偶 J 銅-銅鎳延長型導(dǎo)線(電纜) TX 銅-康銅鎳電偶 T
(2) 產(chǎn)品規(guī)格:見表2表2 名 稱 導(dǎo)體標稱截面mm2 導(dǎo)體結(jié)構(gòu) mm 補償導(dǎo)線 補償電纜 A B 線芯對數(shù) 1 二線組:1~24對三線組:1~19對 0.5 1/Φ0.80 7/Φ0.30 1.0 1/Φ1.13 7/Φ0.43 1.5 1/Φ1.37 7/Φ0.52 2.5 1/Φ1.76 19/Φ0.41
注:① 補償導(dǎo)線規(guī)格為:2*導(dǎo)體標稱截面,補償電纜規(guī)格為:芯數(shù)*2*導(dǎo)體標稱截面,推薦的線對 為:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、14、16、19、24等。 ② 根據(jù)用戶的要求可提供阻燃型、耐火型、低煙低鹵型、低煙無鹵型補償電纜以及耐熱硅橡膠絕緣和護套補償電纜。訂貨時需注明即可。 4、技術(shù)要求 (1) 補償導(dǎo)線及補償電纜合金導(dǎo)體和絕緣層顏色:見表3 表3 產(chǎn)品型號 補償導(dǎo)線及電纜線芯 絕緣層著色 配用熱電偶分度號 正極 負極 正極 負極 SC 銅 銅鎳0.6 紅 綠 S(鉑銠10-鉑)R(鉑銠13-鉑) KCA 鐵 銅鎳22 紅 藍 K(鎳鉻-鎳硅) KCB 銅 銅鎳40 紅 藍 KX 鎳鉻10 鎳硅 紅 黑 EX 鎳鉻10 銅鎳45 紅 棕 E(鎳鉻-銅鎳) JX 鐵 銅鎳45 紅 紫 J(鐵-銅鎳) TX 銅 銅鎳45 紅 白 T(銅-銅鎳 NC 鐵 銅鎳18 紅 灰 N(鎳鉻硅-鎳硅) NX 鎳鉻硅 鎳硅 紅 灰 (2) 補償導(dǎo)線及補償電纜使用分類、等級標志及護套著色:見表4 表4 使用分類 標志代號 允差等級及標志 護套著色 普通級 精密級 普通級 精密級 本安型 一般用 G 省 S 黑色 灰色 藍色 耐熱用 H 黑色 灰色 藍色 (3) 補償導(dǎo)線及補償電纜熱電特性及允差表:見表5 表5 型號 使用分類 溫度范圍℃ 熱電動勢允差μV 測量端溫度℃ 往復(fù)電阻20℃長度為1m不大于Ω 普通級 精密級 0.5mm2 1.0mm2 1.5mm2 2.5mm2 SC G 0~100 ±60(±5.0℃) ±30(±5.0℃) 1000 0.10 0.05 0.03 0.02 H 0~200 KCA G 0~100 ±100(±2.5℃) ±60(±1.5℃) 1000 1.40 0.70 0.47 0.28 H 0~200 900 KCB G 0~100 900 1.04 0.70 0.47 0.28 KX G -20~100 900 2.20 1.10 0.73 0.44 H -25~200 900 EX G -20~100 ±200(±2.5℃) ±120(±1.5℃) 500 2.50 1.25 0.83 0.50 H -25~200 500 JX G -20~100 ±140(±2.5℃) ±85(±1.5℃) 500 1.30 0.65 0.43 0.26 H -25~200 500 TX G -20~100 ±60(±1.0℃) ±30(±0.5℃) 300 1.04 0.52 0.35 0.21 H -25~200 ±90(±1.5℃) ±48(±0.8℃) 300 NC G 0~100 ±100(±2.5℃) ±60(±1.5℃) 900 1.50 0.75 0.50 0.30 H 0~200 900 NX G -20~100 900 2.86 1.43 0.95 0.57 H -25~200 900 (4) 其它性能指標:見表6 表6 項 目 單 位 性能指標 PVC絕緣 F46絕緣或F絕緣 絕緣電阻(20℃)≥ MΩ·km 25 500 電壓試驗 V/1min 1000 阻燃性能 由供需雙方根據(jù)補償電纜的使用條件按GB/T18380-2001標準商定
5、型號、名稱:見表7~表8表7 補償導(dǎo)線 型 號 名 稱 KX-VV 聚氯乙烯絕緣和護套K分度熱電偶用補償導(dǎo)線 KX-VPV 聚氯乙烯絕緣和護套銅絲編織屏蔽K分度熱電偶用屏蔽補償導(dǎo)線 KX-FF 氟塑料絕緣和護套K分度熱電偶用補償導(dǎo)線 KX-FPF 氟塑料絕緣和護套銅絲編織屏蔽K分度熱電偶用屏蔽補償導(dǎo)線 KX-FV-105 氟塑料絕緣耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償導(dǎo)線 KX-FPV-105 氟塑料絕緣銅絲編織屏蔽耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用屏蔽補償導(dǎo)線 KX-HF4B 聚四氟絕緣玻璃絲編織護套K分度熱電偶用補償導(dǎo)線 KX-HF4PB 聚四氟絕緣銅絲編織屏蔽玻璃絲編織護套K分度熱電偶用屏蔽補償導(dǎo)線 注: ① 其他型號補償導(dǎo)線SC、KC、EX、JX、TX、NC、NX等,只需改寫型號的項,如:EX-VVP; ② 屏蔽型式有:P:銅絲屏蔽,P1:鍍錫絲屏蔽; ③ 氟塑料絕緣和護套高溫補償導(dǎo)線用氟塑料整體連續(xù)擠出,具有很好的電性能和耐酸堿油水性能; ④ 一般用(G)普通級和精密級(S)以及耐熱用(H)普通級和精密級(S)補償導(dǎo)線在訂貨注明即可。 表8 補償電纜 型 號 名 稱 KX-VV 聚氯乙烯絕緣對絞聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-VPV 聚氯乙烯絕緣對絞銅絲編織分屏蔽聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-VPVP 聚氯乙烯絕緣對絞銅絲編織分屏蔽總屏蔽聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-VVP 聚氯乙烯絕緣對絞銅絲編織總屏蔽聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FF 氟塑料絕緣對絞氟塑料護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FPF 氟塑料絕緣對絞銅絲編織分屏蔽氟塑料護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FPFP 氟塑料絕緣對絞銅絲編織分屏蔽總屏蔽氟塑料護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FFP 氟塑料絕緣對絞銅絲編織總屏蔽氟塑料護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FV-105 氟塑料絕緣對絞耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FPV-105 氟塑料絕緣對絞銅絲編織分屏蔽耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FPVP-105 氟塑料絕緣對絞銅絲編織分屏蔽總屏蔽耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-FVP-105 氟塑料絕緣對絞銅絲編織總屏蔽耐熱105℃聚氯乙烯護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-HF4B 聚四氟絕緣對絞玻璃絲編織護套K分度熱電偶用補償電纜 KX-HF4PB 聚四氟絕緣對絞銅絲編織分屏蔽玻璃絲編織護套K分度熱電偶用屏蔽補償電纜 KX-HF4PBP 聚四氟絕緣對絞銅絲編織分屏蔽總屏蔽玻璃絲編織護套K分度熱電偶用屏蔽補償電纜 KX-HF4BP 聚四氟絕緣對絞銅絲編織總屏蔽玻璃絲編織護套K分度熱電偶用屏蔽補償電纜 注: ① 其他型號補償電纜SC、KC、EX、JX、TX、NC、NX等,只需改寫型號的項,如:EX-VPV; ② 屏蔽型式有:P:銅絲屏蔽,P1:鍍錫絲屏蔽,P3:鋁/聚酯復(fù)合膜,P2:銅塑復(fù)合膜; ③ 氟塑料絕緣和護套高溫補償導(dǎo)線用氟塑料整體連續(xù)擠出,具有很好的電性能和耐酸堿油水性能。 ④ 一般用(G)普通級和精密級(S)以及耐熱用(G)普通級和精密級(S)補償電纜在訂貨注明即可。 ⑤ 本安補償電纜需在原型號前加“IA-”,如:IA-KX-VPVP;需阻燃補償電纜,應(yīng)在原型號前加“ZR-”。
萬能輸入,可與類傳感器、變送器配合使用,大大減少備表數(shù)量。 實現(xiàn)對溫度、壓力、流量、液位等物理量的測量、顯示、報警控制和 變送輸出。一臺儀表可配合多種執(zhí)行器,實現(xiàn)對電加熱設(shè)備和電磁、 電動、氣動閥門等進行PID控制。采用人工智能PID算法,實現(xiàn)無超調(diào)、 無欠調(diào)。完善的網(wǎng)絡(luò)通訊功能,與計算機進行高速、的雙向數(shù)據(jù)交 換。具備遠程調(diào)試、診斷和數(shù)據(jù)采集功能。多重保護、隔離設(shè)計,抗干 擾能力強、性高。 性能特點 ◆輸入信號 可隨意改變儀表的輸入信號類型。采用無跳線技術(shù),只需設(shè)定儀 表內(nèi)部參數(shù),即可將儀表從一種輸入信號改為另一種輸入信號。 ◆修正 對傳感器的修正功能,減小由于傳感器、變送器或儀表的各種原 因而造成的誤差。提高系統(tǒng)的測量、控制精度。 ◆熱電偶冷端補償 輸入信號為熱電偶時,自動進行冷端補償。補償溫度 0-50℃。 ◆人工智能 PID 的人工智能調(diào)節(jié)及自整定、自學(xué)習(xí)功能,無超調(diào)及無欠調(diào)的優(yōu)良 控制特性,適合溫度、壓力、流量、液位、濕度等的精確控制。 ◆模塊化輸出 支持SSR電壓、線性電流(電壓)、繼電器觸點開關(guān)、可控硅無觸點 開關(guān)。 ◆非線性修正 有 60 段折線修正功能,可對輸入的非線性信號進行修正。 ◆傳感器故障處理 防止因傳感器故障而引起的非正常設(shè)備運行。 ◆數(shù)字濾波 防止因傳感器受其本身固有頻率影響、外界振動的傳導(dǎo)以及不可預(yù)料 的干擾等原因?qū)е聝x表顯示值不穩(wěn)定。 ◆通訊接口 全透明、高速的網(wǎng)絡(luò)化通訊接口,實現(xiàn)計算機與儀表間的數(shù)據(jù)傳 輸和控制。 | |||||||||||||
技術(shù)指標 ◆輸入信號: (一臺儀表可兼容) 熱電偶:K、S、E、J、T、B、N 熱電阻:Cu50、Pt100 線性電壓:0-5V、1-5V、0-1V、0.2-1V、0-100mV、0-60nV、 0-20mV等 線性電流(需外接分流電阻):0-10mA、0-20mA、4-20mA等 線性電阻:0-80Ω、0-400Ω 擴充規(guī)格:在保留上述輸入規(guī)格基礎(chǔ)上,允許用戶一種額外輸入 規(guī)格(可能需要提供分度表) ◆測量范圍
線性輸入:-1999-+9999由用戶定義 ◆測量精度 0.2級(熱電阻、線性電壓、線性電流及熱電偶輸入且采用銅電阻補償 或冰點補償冷端時) 0.2%級F.S±2.℃;(熱電偶輸入且采用儀表內(nèi)部元件測溫補償冷端時) 0.5級。 注:儀表對 B 分度號熱電偶在0-600℃范圍時可進行測量,但測量精 度無法達到0.2級,在600-1800℃范圍可0.2級測量精度。 ◆響應(yīng)時間 ≤0.5秒(設(shè)置數(shù)字濾波參數(shù)dL=0時) ◆調(diào)節(jié)方式 位式調(diào)節(jié)方式(回差可調(diào)); QQ人工智能調(diào)節(jié),包含模糊邏輯PID調(diào)節(jié)及參數(shù)自整定功能的控 制算法。 ◆輸出規(guī)格:(模塊化) 繼電器觸點開關(guān)輸出(常開+常閉):250VAC/2A,30DC/1A; 可控硅無觸點開關(guān)輸出(常開或常閉):100-260VAC/1A; SSR電壓輸出:12VDC/30mA(用于驅(qū)動SSR固態(tài)繼電器); 可控硅觸發(fā)輸出:可觸發(fā)5-500A的雙向可控規(guī),2個單向可 控硅反并聯(lián)接或可控硅功率模塊 線性電流輸出:0-10mA、0-20mA、4-20mA ±0.1mA可定義 ◆報警功能 上限、下限、正偏差、負偏差等4種方式,最多可輸出3路,有上電免 除報警選擇功能。 ◆電磁兼容 IEC61000-4-4(電快速瞬變脈沖群),±2KV/5KHz; IEC61000-4-5(浪涌),4KV。 ◆隔離耐壓 電源端、繼電器觸點及信號端相互之間≥2300V; 相互隔離的弱電信號端子之間≥600V。 ◆電源電壓 100-240VAC,-15%,+10%/50-60Hz或24VDC,-15%,+10%。 ◆電源消耗 ≤5W ◆環(huán)境溫度 0-50℃ ◆環(huán)境濕度 10%-90%RH,避免強腐蝕性氣體 |
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DS207A無線遠程測控終端(GPRS-RTU)是一種基于GPRS無線網(wǎng)絡(luò)通信,集高精度數(shù)據(jù)采集、大容量測控數(shù)據(jù)實時存儲、高穩(wěn)定度通信傳輸及實時控制為一體的高性價比無線數(shù)據(jù)采集解決方案。
主要功能特點:
1,精密的集成化設(shè)計:本地測控數(shù)據(jù)采集、大容量記錄存儲、GPRS/SMS數(shù)據(jù)通信融于一體,為客戶提供高性價比的解決方案。
2,測控端口基本配置:
4路模擬信號輸入、4路開關(guān)/脈沖信號輸入、2路繼電器觸點輸出。
3,高精度的模擬測量:
①模擬通道搭載高品質(zhì)D-S型16-bit ADC,內(nèi)嵌硬件數(shù)字濾波,具備的抗干擾特性。
②模擬通道可接入0-10V,0-5V,4-20mA等各類標準傳感器輸出信號。 ③每個通道均經(jīng)過嚴格老化和精密校準,確保測量精度達到高度可信賴的0.1%范圍之內(nèi)。 ④確保用戶測量精度在傳輸環(huán)節(jié)沒有損失,遠非采用低端10-bit/12-bit SAR型ADC方案可以比擬。
4,開關(guān)通道可接脈沖:
支持①開關(guān)通斷觸點輸入 ②高低電平輸入 ③計數(shù)脈沖輸入。
5,繼電器控制輸出:
①一組為常開觸點,一組為具備公共端、常開、常閉端觸點。
②繼電器長時間吸合不需要維持電流。
③繼電器觸點支持斷電觸點狀態(tài)保持。
④繼電器輸出可以與報警事件關(guān)聯(lián)。
6, 端口檢測報警識別:
支持①模擬通道高低報警 ②開關(guān)通道觸發(fā)報警 ③支持模擬通道、脈沖計數(shù)通道變化率報警。
7, 數(shù)據(jù)中心靈活配置:支持①永遠在線 ②定時上線 ③短信控制上線。
數(shù)據(jù)中心主要功能:支持①測控數(shù)據(jù)采集 ②遠程控制 ③存儲記錄訪問
④遠程設(shè)置參數(shù) ⑤報警信息處理 ⑥GSM網(wǎng)絡(luò)信息查詢
8, 的GPRS通信:
支持①固定IP/域名解析訪問 ②支持TCP/UDP數(shù)據(jù)協(xié)議 ③采用自動心跳包技術(shù)。
④充分測試和優(yōu)化的通信故障容錯機制,確保RTU及時地與數(shù)據(jù)中心恢復(fù)通信。
9,SMS通信主要功能:
①支持可編輯內(nèi)容的報警短信向預(yù)設(shè)手機號碼發(fā)送。
②支持短信呼入查詢與設(shè)置數(shù)據(jù)中心參數(shù)、短信控制登陸數(shù)據(jù)中心。
③支持短信呼入查詢端口數(shù)據(jù)、短信控制繼電器動作、短信控制RTU復(fù)位。
10,RS48通信功能:
①支持300~115200bps不同速率、格式、通信協(xié)議的RS485自由通信。
②可預(yù)設(shè)48組定時RS485定時訪問數(shù)據(jù),并且將通信結(jié)果自動存儲、上報。
③用戶可配置的RS485通信等待時間參數(shù),以及失敗重發(fā)機制。
④支持報警事件關(guān)聯(lián)觸發(fā)的RS485通信訪問。
11,測控記錄存儲管理:
① 存儲容量達到3萬條記錄,
包括:模擬/開關(guān)通道測量記錄、RS485接口定時通信記錄、報警事件記錄等。
②支持數(shù)據(jù)中心靈活查詢管理各類存儲記錄。
12,均衡的低功耗設(shè)計:
①面向野外小型太陽能供電電源環(huán)境設(shè)計,整機平均耗電流60mA(常規(guī)聯(lián)網(wǎng)、通信待機)。
②搭載高品質(zhì)保持繼電器,繼電器長時間吸合,不需要維持電流,以節(jié)約耗電。
③可設(shè)置為“省電”模式,平均耗電低至25mA,而本地數(shù)據(jù)采集、存儲、端口報警識別依然。
DS207A規(guī)格指標列表
工作電源 | 電壓:DC 5V-24V 電流:500mA以上 強烈推薦使用我司配套電源 |
終端耗電 | 常規(guī)運行:通訊待機時耗電參考值 60mA; 數(shù)據(jù)通信時耗電參考值 150mA。 省電模式:待機耗電參考值 25mA 在手機模塊啟動期間瞬時耗電流可達1A |
GPRS通信 | GPRS Class 10 編碼方案:CS1-CS4 符合SMG31bis 技術(shù)規(guī)范 |
與數(shù)據(jù)中心通信 | 支持域名解析/固定IP訪問中心 支持 TCP/UDP |
RS485通信 | 300-115200bps,無/奇/偶校驗,停止位1/2位 |
模擬輸入通道(4路) | 支持0-10V電壓信號輸入、4-20mA電流信號輸入,達到0.1%精度等級 |
開關(guān)輸入通道(4路) | 支持通斷信號、0-5V高低電平、計數(shù)脈沖輸入(脈寬≥25ms) |
繼電器輸出通道(2路) | 觸點功率規(guī)格 2A 30VDC / 1A 125VAC 最大切換交流電壓275VAC. 支持觸點斷電保持 |
天線接口 | 50歐 SMA陰頭 |
SIM卡接口 | 自動檢測 |
工作環(huán)境溫度 | -20℃到65℃ |
儲存溫度 | -40℃到85℃ |
濕度 | 95% 無凝結(jié) |
體積尺寸 | 93*62*23mm |
詳細介紹請至[廈門遙望電子]瀏覽
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臺面大、旋轉(zhuǎn)方便; 每隔 45°有一個定位裝置; 采用新型正交排列鋼制滾柱導(dǎo)軌支撐,載物臺加倍穩(wěn)定,承載能力更強。 可調(diào)心的五孔物鏡轉(zhuǎn)換器 ![]() 采用逆裝式嵌入; 具有廣泛用途的DIN標準插槽,連非尼康顯微鏡的檢板也能插入使用。 中間鏡筒 內(nèi)置可調(diào)焦、可對中的勃特蘭透鏡,利用它可以觀察并拍攝沒有畸變的圖象以及錐光干涉圖象; 帶有可旋轉(zhuǎn)的檢偏器; 帶有尼康檢板插槽(www.cnrico.com),插在此處的檢板可做360°旋轉(zhuǎn)。 采用尼康獨特的CFI60光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計,可以同時較長的工作距離和較高的數(shù)值孔徑; 物鏡分透射照明專用型和透反射照明兩用型; 透反射兩用型物鏡使用不含鉛、砷等有害物質(zhì)的環(huán)保玻璃制作而成。 CFI P Achromat 系列 CFI60偏光物鏡群(透射照明專用、適用于帶蓋玻片的樣品觀察) CFI LU Plan Fluor EPI P系列 CFI60偏光物鏡群(透反射照明兩用、適用于不帶蓋玻片的樣品觀察) 在透射型主機上加裝LV-UEPI型反射照明器以后,形成透、反射照明兩用型偏光顯微鏡,透、反射偏光觀察都能進行; 透射照明與反射照明的切換非常簡單; 采用新的50W光源的反射照明系統(tǒng),照明亮度要比普通的100W光源還亮; 通過選配萬能物鏡轉(zhuǎn)換器以及DIC附件,可以實現(xiàn)微分干涉(DIC)觀察。 瑞科中儀公司也以一貫的品質(zhì)攜手尼康顯微鏡竭誠為您服務(wù)。 更多的產(chǎn)品和服務(wù)詳見www.cnrico.com |
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二通板式球閥 BKHU 三通板式球閥 BKHU3 BKHU 只提供碳鋼閥體,標準配置包括手柄
球閥通徑 DN 常用二通球閥型號 常用三通球閥型號
06 BKHU DN06 1125 BKHU3 DN06 1125*
10 BKHU DN10 1125 BKHU3 DN10 1125*
13 BKHU DN13 1125 BKHU3 DN13 1125*
20 BKHU DN20 1125 BKHU3 DN20 1125*
25 BKHU DN25 1125 BKHU3 DN25 1125*
32 BKHU DN32 1125 BKHU3 DN32 1125*
40 BKHU DN40 1125 BKHU3 DN40 1125*
50 BKHU DN50 1125 BKHU3 DN50 1125
三 Movipac-P單/雙通道振動數(shù)據(jù)采集器主要技術(shù)參數(shù)
操作系統(tǒng):32位windows操作系統(tǒng)
主處理器:雙DSP數(shù)字信號處理器
A/D轉(zhuǎn)換器:24位(bits)
標準內(nèi)存:32M (可擴至128M)
輸入通道:2個振動通道+1個觸發(fā)通道
輸入信號范圍:最大+/- 24V
采樣頻率:102.4KHz
分析頻率:40KHz
動態(tài)范圍:大于108dB
FFT譜線:12800線×128倍實時細化(movipack-P)
采樣點:256 to 32768
濾波器:設(shè)定中心頻率,數(shù)字濾波
通訊接口:RS-232接口/USB接口/紅外接口
使用環(huán)境:工作溫度:-10~+50℃,濕度:90%