光學平臺產(chǎn)品及廠家

美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-04-30
美國Trion 高密度化學氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統(tǒng)采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結合時，會發(fā)生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-04-30
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-04-30
俄羅斯 Optosystem 準分子激光器
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-04-30
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-04-30
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b，在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-04-30
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結（量子比特和約瑟夫森結）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復性超導結。
更新時間:2025-04-30
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-04-30
德國Sentech光伏測量儀
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復雜的研發(fā)應用。
更新時間:2025-04-30
接觸角測量儀
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-04-30
德國KRUSS標準型DSA25接觸角測量儀
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-04-30
紫外雙面光刻機
ure-2000s 系列雙面光刻機，對準精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時間:2025-04-30
美國TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺，寬范圍的操作壓力，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-04-30
全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊，提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-04-30
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-04-30
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-04-30
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測特大件樣品
更新時間:2025-04-30
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，用于檢測大件樣品
更新時間:2025-04-30
德國 KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-04-30
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，掃描機械機構
更新時間:2025-04-30
日本JEOL熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-04-30
日本JEOL發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-04-30
日本JEOL能譜儀
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達驅(qū)動樣品臺聯(lián)動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-04-30
日本JEOL掃描電子顯微鏡
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-04-30
日本JEOL 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-04-30
百及納米PancanNano電子束光刻機
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子沉積機
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現(xiàn)場總線技術，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子沉積機
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設計與直接負載相結合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子刻蝕機
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子刻蝕機
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設計的優(yōu)點與直接負載的低成本設計相結合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 反應離子刻蝕機
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子刻蝕機
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現(xiàn)場總線技術，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-04-30
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000/a8 紫外單面光刻機，中科院設計生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000a 型紫外單面光刻機，中科院設計生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機，中科院設計生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時間:2025-04-30
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-04-30
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-04-30
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-04-30
高級型原子層沉積機
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機器人實現(xiàn),標準設備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-04-30
高級原子沉積機
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標準間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標準間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-04-30
生產(chǎn)線型原子層沉積機
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-04-30
生產(chǎn)型原子層沉積機
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-04-30
生產(chǎn)型原子層沉積機
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機 ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-04-30
高級型原子層沉積機
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-04-30
標準型原子層沉積機ALD
picosun™ r-200標準型原子層沉積機，picosun™ r系列設備提供高質(zhì)量ald薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-04-30

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計（PH計） 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質(zhì) 生物試劑